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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
52
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17500
Rund um 1.1 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
52
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
17500
19200
Other
Beschreibung
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2319
3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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