Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Gesamtnote
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterschiede

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 52
    Rund um -108% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17500
    Rund um 1.1 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR5
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.2 left arrow 13.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    17500 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2319 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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