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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17500
Por volta de 1.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR5
Latência em PassMark, ns
52
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.1
Largura de banda de memória, mbps
17500
19200
Other
Descrição
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tempos / Velocidade do relógio
no data
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2319
3419
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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