RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Comparar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17500
Por volta de 1.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR5
Latência em PassMark, ns
52
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.1
Largura de banda de memória, mbps
17500
19200
Other
Descrição
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tempos / Velocidade do relógio
no data
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2319
3419
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link