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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 52
    周辺 -108% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17500
    周辺 1.1 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR5
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    17500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2319 left arrow 3419

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