Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

総合得点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

考慮すべき理由
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.3 13.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.5 12.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 19200

周辺 1.33% 高帯域

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 41

周辺 -64% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR5
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

41 25
読み出し速度、GB/s

16.3 13.4
書き込み速度、GB/秒

13.5 12.1
メモリ帯域幅、mbps

25600 19200

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3146 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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PNY Electronics PNY 2GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

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Centon Electronics JIYT48UFA 1GB 1GB

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