PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 33

周辺 18% 低遅延

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.3 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.8 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 33
読み出し速度、GB/s

13.8 16.3
書き込み速度、GB/秒

8.4 10.8
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 2795

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

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Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

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Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

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