RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.4
    テスト平均値
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 69
    周辺 -109% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 2919

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
メモリRAM