RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
69
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2919
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link