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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
3,325.1
16.4
写入速度,GB/s
1,441.2
11.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2919
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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