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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Comparez
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
52
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17500
Autour de 1.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR5
Latence dans PassMark, ns
52
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17500
19200
Other
Description
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Vitesse d'horloge
no data
no data / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2319
3419
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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