RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
69
72
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
72
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
1731
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link