RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
72
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
72
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
1731
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link