Comparación de la memoria RAM Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 52

En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.4 10.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 8.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17500

En 1.1 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj

no data no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2319 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns