Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Puntuación global

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Puntuación global

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

47 49

En 4% menor latencia

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

10 9.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.2 5.9

Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR3
Latencia en PassMark, ns

47 49
Velocidad de lectura, GB/s

9.3 10.0
Velocidad de escritura, GB/s

5.9 8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 10600

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1413 2116

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Últimas comparaciones

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB