RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Puntuación global
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
65
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
65
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2407
2041
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905584-032.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link