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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Puntuación global
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
65
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
65
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2407
2041
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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