RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Gesamtnote
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
65
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2407
2041
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link