Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    40 left arrow 41
    Rund um 2% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.3 left arrow 13.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 8.7
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    40 left arrow 41
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.3 left arrow 13.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 8.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2407 left arrow 2094
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