RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
41
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
41
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2407
2094
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link