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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Confronto
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
41
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
40
41
Velocità di lettura, GB/s
14.3
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2407
2094
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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