Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    40 left arrow 41
    Intorno 2% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.3 left arrow 13.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.4 left arrow 8.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 41
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.3 left arrow 13.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.4 left arrow 8.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2407 left arrow 2094
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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