RAM-Vergleich Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Gesamtnote

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 40

Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.1 12.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.7 8.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1789 3061

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns