Comparaison de la RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Note globale

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 40

Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.1 12.3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.7 8.9

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 12800

Autour de 1.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1789 3061

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns