Confronto tra le RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 40

Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.1 12.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.7 8.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1789 3061

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns