Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Revisión RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB, especificaciones, puntos de referencia

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB revisión del módulo de memoria. Principales características técnicas y evaluación de rendimiento de PassMark. Sugerimos estudiar todos los datos y compararlos con el modelo de la competencia.

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Características
  • Type
    DDR5
  • Nombre
    Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD
  • Características
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Ancho de banda de la memoria
    19200 mbps
  • Tiempos / Velocidad del reloj

    * consultar el sitio web del fabricante

    no data / 2400 MHz
Rendimiento de PassMark
  • Latencia
    25 ns
  • Velocidad de lectura
    13.4 GB/s
  • Velocidad de escritura
    12.1 GB/s
# 3200 3600 4000 4400 4800 5200 5600 6000 6400 MT/s
22 13.75 - - - - - - - -
26 16.25 14.44 - - - - - - -
28 17.50 - 14.00 - - - - - -
30 - 16.67 - - - - - - -
32 - 17.78 16.00 14.55 - - - - -
34 - - - - 14.17 - - - -
36 - - 18.00 16.36 - - - - -
38 - - - - - 14.62 - - -
40 - - - 18.18 16.67 - 14.29 - -
42 - - - - 17.50 16.15 - 14.00 -
46 - - - - - 17.69 16.43 - 14.38
50 - - - - - - 17.86 16.67 -
52 - - - - - - - - 16.25
54 - - - - - - - 18.00 -
56 - - - - - - - - 17-50
CL

La latencia CAS mide el número de ciclos de reloj que pasan desde que se realiza una petición de lectura de datos hasta que dicha información está disponible

Pruebas de rendimiento

Pruebas reales Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Tiempo medio de lectura en memoria sin caché
Velocidad de transferencia de escritura
Velocidad media de escritura
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