Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Recensione RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB, specifiche, parametri di riferimento

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB recensione del modulo di memoria. Principali caratteristiche tecniche e valutazione delle prestazioni del benchmark di PassMark. Suggeriamo di studiare tutti i dati e di confrontarli con il modello della concorrenza.

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Caratteristiche
  • Type
    DDR5
  • Nome
    Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD
  • Caratteristiche
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Larghezza di banda della memoria
    19200 mbps
  • Temporizzazioni / Velocità di clock

    * Controllare il sito web del produttore

    no data / 2400 MHz
Prestazioni di PassMark
  • Latenza
    25 ns
  • Velocità di lettura
    13.4 GB/s
  • Velocità di scrittura
    12.1 GB/s
# 3200 3600 4000 4400 4800 5200 5600 6000 6400 MT/s
22 13.75 - - - - - - - -
26 16.25 14.44 - - - - - - -
28 17.50 - 14.00 - - - - - -
30 - 16.67 - - - - - - -
32 - 17.78 16.00 14.55 - - - - -
34 - - - - 14.17 - - - -
36 - - 18.00 16.36 - - - - -
38 - - - - - 14.62 - - -
40 - - - 18.18 16.67 - 14.29 - -
42 - - - - 17.50 16.15 - 14.00 -
46 - - - - - 17.69 16.43 - 14.38
50 - - - - - - 17.86 16.67 -
52 - - - - - - - - 16.25
54 - - - - - - - 18.00 -
56 - - - - - - - - 17-50
CL

La latenza CAS misura il numero di cicli di clock che intercorrono tra la richiesta di lettura dei dati e la disponibilità di tali informazioni.

Test di prestazione

Test reali Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Velocità di trasferimento in lettura senza cache
Tempo medio di lettura della memoria senza cache
Velocità di trasferimento in scrittura
Velocità media di scrittura
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