Comparaison de la RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Note globale

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.4 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.1 6.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 17000

Autour de 1.13% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 25

Autour de -4% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3419 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns