RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
91
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
4.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
91
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
4.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2412
1214
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link