Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 37

Autour de 35% latence réduite

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 12.5

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2925 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns