RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
3866
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link