Comparação RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Pontuação geral

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.4 12.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.1 6.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 17000

Por volta de 1.13% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 25

Por volta de -4% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3419 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns