RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
6.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.1
6.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3419
2256
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link