RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
1989
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ASU16D3LU1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX6400S2LL/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link