RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
4039
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link