RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3837
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link