RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
3063
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link