RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
2516
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link