RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2516
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link