RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3510
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link