RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3423
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Corsair CMTS16GM4800A40T2 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link