RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
2563
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link