RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
58
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
2172
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link