RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
42
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3031
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link