RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
42
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
1764
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology L02 06/2010 DEXCOM 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link