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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
66
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1810
2925
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Absolute Latency
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