Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote
star star star star star
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

Unterschiede

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 29
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13% höhere Bandbreite
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.2 left arrow 13.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 17.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 13.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3419 left arrow 3416
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche