RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Comparez
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
3416
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link