RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
2912
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link