RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KF552C40-16 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Kingston KF552C40-16 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF552C40-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
32
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3343
3726
Kingston KF552C40-16 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link