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Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Kingston KF552C40-16 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Kingston KF552C40-16 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KF552C40-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
32
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3343
3726
Kingston KF552C40-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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