Porównanie pamięci RAM Kingston KF552C40-16 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wynik ogólny

Kingston KF552C40-16 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KF552C40-16 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 32

Wokół strony 6% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

19.4 15.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.3 13.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 19200

Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KF552C40-16 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

no data / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3343 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns