RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2713
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link