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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
16
23
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
21.2
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
16
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
22.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
21.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
3952
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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