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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
23
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
16
读取速度,GB/s
13.6
22.3
写入速度,GB/s
9.4
21.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3952
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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